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近日,台塑集團旗下DRAM大廠南亞科發布媒體邀請函,其南林科技園區新建雙層無塵室12英寸廠計劃將於6月23日舉行動土典禮。而新廠落成量產時間是否維持原來計劃,有待典禮當天再宣布。
據南亞科規劃,該廠房正式采用南亞科技自主研發的10納米級製程技術生產DRAM芯片,及規劃構建EUV極紫外光微影生產技術,月產能約45,000片芯片,預期直接提供2,000個工作機會,並間接創造產業鏈數千個就業機會。該廠預估以7年分3階段投資,計劃2021年底動工,2023年底完工,2024年開始第一階段量產,總投資金額約新台幣3,000億元。
南亞科總經理李培瑛曾指出,新廠預計從第二代10納米級DRAM製程開始導入,首階段月產能將達到15000片,3階段完成後月產能,將達到45000片。新廠南亞科也規劃構建EUV極紫外光微影生產技術,也有技術研發中心,最終什麽製程導入或什麽產品導入,還須視市場需求決定。
此前南亞科從40納米到20納米,每年需要向美光科技支付大量專利授權費。近年來積極投入自主技術研發,2020年初開發出10納米級DRAM新型存儲器技術,同時確立下世代10納米DRAM將采用自主研發技術,不再走授權模式。
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