SK海力士成功研發238層４D NAND閃存

2022年8月3日，SK海力士宣布成功研發全球首款業界最高層數的238層NAND閃存。

近日，SK海力士向客戶發送了238層 512Gb TLC* 4D NAND閃存的樣品，並計劃在2023年上半年正式投入量產。公司表示，僅用時1年7個月，就成功完成了新一代技術的研發。此次238層NAND閃存在達到業界最高堆棧層數的同時實現了全球最小的麵積，其意義更加非凡 。

當天，SK海力士在美國聖克拉拉舉行的2022閃存峰會上首次亮相了238層NAND閃存新產品。

SK海力士在2018年研發的96層NAND閃存就超越了傳統的3D方式，並導入了4D方式。為成功研發4D架構的芯片，公司采用了電荷捕獲型技術*和PUC* 技術。相比3D方式，4D架構具有單元麵積更小，生產效率更高的優點。

238層NAND閃存成功堆棧更高層數的同時，實現了業界最小的麵積。新產品每單位麵積具備更高的密度，借其更小的麵積能夠在相同大小的矽晶片生產出更多的芯片，因此相比176層NAND閃存其生產效率也提高了34%。

此外，238層NAND閃存的數據傳輸速度為2.4Gbps，相比前一代產品提高了50%，芯片讀取數據時的能源消耗也減少了21%。可以說，SK海力士通過節省芯片的電力消耗，在ESG方麵也取得了可圈可點的進步。

SK海力士計劃先為cSSD（client SSD，主要應用範圍為PC用存儲設備）供應238層NAND閃存，隨後將其導入範圍逐漸延伸至智能手機和高容量的服務器SSD等。公司還將於明年發布1Tb 密度的全新238層NAND閃存產品，其密度是現有產品的兩倍。