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8月20日消息,據報道,台積電近期傳出將展開評估在美投資興建第二座晶圓廠,擬切入3納米製程,建廠時程約2年後。對此,台積電8月19日表示,不回應市場傳聞。
此前,台積電美國亞利桑那州 5 納米新廠,已於7月底上梁,預計一期於2024年量產,第一期月產能2萬片。
不過,由於台積電亞利桑那州廠土地麵積廣大,占地約445公頃,先前就多次傳出,台積電將擴大亞利桑那州投資計劃,預計建6座晶圓廠。
台積電總裁魏哲家去年也曾說,台積電已在亞利桑那州取得大範圍土地,以維持彈性,進一步擴建是有可能的,但首要任務是使第一期廠房順利量產,接著根據營運效率、成本效益,及客戶需求來決定下一步計劃。
據了解,台積電的3nm工藝仍將采用FinFET晶體管的結構,而三星的3nm節點采用GAA晶體管架構。三星甚至領先於台積電,將3nm工藝技術轉向量產。
消息人士指出,AMD、蘋果、博通、英特爾、聯發科、英偉達和高通等廠商均已向台積電下達3nm芯片訂單。但三星的3nm GAA工藝尚未吸引主要芯片供應商的訂單。
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