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IS61WV204816B是一款並行RAM芯片。器件使用了高性能CMOS製造技術,電路也采用了創新的設計技術,器件在產生高性能的同時功耗較低。當COS為高電平時,設備將采用待機模式下的功耗,可以降低CMOS輸入電平。
當器件為高電平時,將會采用待機模式,在該模式下,功耗可以隨著CMOS輸入電平的降低而降低。通過使用芯片使能和輸出使能輸入,能夠輕鬆的提供內存擴展。低寫入使能可以有效的控製存儲器的寫入和讀取。數據字節允許高字節和低字節訪問。
該器件采用48引腳TSOP封裝,具有10ns、12ns的高速存取時間,適合用於便攜式應用。
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【本文標簽】IS61WV204816B 並行RAM ISSI芯片
【聲明】