台積電RRAM技術引入英飛淩汽車MCU

11月25日，英飛淩和台積電宣布，兩家公司正準備將台積電的電阻式RAM非易失性存儲器技術引入英飛淩的下一代AURIX™微控製器，並將在台積電的28納米節點上製造。

自第一個發動機管理係統問世以來，嵌入式閃存微控製器一直是汽車電子控製單元的主要構建塊。目前，市場上大多數MCU係列都基於嵌入式閃存技術技術。而RRAM是嵌入式存儲器的下一步，可以進一步擴展到28納米及以上。

英飛淩AURIX TC4x MCU係列將性能擴展與虛擬化、安全和網絡功能的最新趨勢相結合，以支持下一代軟件定義的車輛和新的E/E架構。

據介紹，基於台積電RRAM技術的AURIX微控製器，可提供更高的抗擾度，並允許按位寫入而無需擦除，從而實現優於嵌入式閃存的性能。其耐用性和數據保留性能與閃存技術相當。

英飛淩認為，與台積電的合作成功奠定了RRAM在汽車領域的基礎，並使其Autrix係列微控製器具有更廣泛的供應基礎。

基於台積電RRAM技術的AURIX TC4x通過提高ASIL-D性能、人工智能功能和最新的網絡接口進一步擴大了這一成功。

2018年，台積電開始量產汽車用40納米eFlash技術，但其40納米超低功耗嵌入式RRAM技術，完全兼容CMOS工藝，已於2017年底進入風險生產。

2021年，台積電代工廠的40納米RRAM技術成功進入量產，28納米和22納米節點也可作為物聯網市場的低成本解決方案。

據悉，英飛淩已經將基於台積電28納米eFlash技術的AURIX TC4x係列樣品運送給主要客戶，而基於28納米RRAM技術的首批樣品將於2023年底提供給客戶